삼성전자, 업계 최초 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’ 양산

더블 스택 구조 구현한 최고 단수 V낸드

채널 홀 에칭 기술…업계 최대 단수 뚫어

[SRT(에스알 타임스) 선호균 기자] 삼성전자가 업계 최초로 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드 양산을 시작했다. TLC는 하나의 셀에 3비트(bit) 데이터를 기록할 수 있다. 

23일 업계에 따르면 삼성전자는 업계 최소 크기 셀에 최소 몰드 두께를 구현해 1Tb TLC 9세대 V낸드의 비트 밀도를 이전 세대보다 1.5배 증가시켰다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit) 수를 말한다. 

더미 채널 홀을 제거하는 기술을 통해 셀의 평면적을 줄인 삼성전자는 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다. 더미 채널 홀은 셀 어레이에서 플레인을 구분하기 위해 만들어진 동작을 수행하지 않는 채널 홀이다. 

삼성전자의 ‘9세대 V낸드’는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. 채널 홀 에칭 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다고 삼성전자는 평가했다. 

채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가해 정교화·고도화가 요구된다고 회사 측은 설명했다. 

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 

한편, 9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스 Toggle 5.1이 적용돼 8세대 V낸드보다 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획이다. 올 하반기에는 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이다.