'High NA EUV' 이천 팹 반입…기존 EUV 대비 정밀도 1.7배↑
[SRT(에스알 타임스) 윤서연 기자] SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다.
High NA EUV는 기존 EUV 보다 더 큰 개구수(NA)를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심적인 역할을 맡을 것으로 전망된다.
SK하이닉스는 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다고 판단, 이번 반입을 결정했다고 설명했다.
이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다.
이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.
SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 전했다.
차선용 SK하이닉스 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 말했다.