▲SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장. ⓒSK하이닉스
▲SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장. ⓒSK하이닉스

용인시 건축 허가 승인 따른 것…2027년 5월 준공 목표

[SRT(에스알 타임스) 방석현 기자] SK하이닉스 24일 용인시의 건축 허가 승인에 따라 용인 반도체 클러스터에 건설되는 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다고 밝혔다. 

용인 반도체 클러스터는 총 415만m²(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라부지 12만평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다.

SK하이닉스는 이곳에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며, 첫 번째 팹은 오는 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다.

SK하이닉스 용인캠퍼스는 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.

이와 더불어 클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.

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