아이에스티이, HBM 필수 'PECVD 장비' 국산화
웨이비스, GaN RF로 방산·5G 분야 점유율 늘려가는 중
[SRT(에스알 타임스) 방석현 기자] 중소 반도체 기업들이 잇달아 기업공개(IPO)에 나서며 기대감을 높이고 있다. 엔비디아를 필두로 인공지능(AI) 반도체 시장이 각광받고 있는 데 따라 관련 수혜주로 꼽히는 국내 SK하이닉스가 최근 신고가를 기록했다. IPO 도전 기업들도 이에 편승해 주도주가 될 수 있을지 주목된다.
20일 업계에 따르면 2013년 설립된 반도체 제조업체 아이에스티이는 5월 상장예비심사를 청구하고 결과를 기다리고 있다. 현재 상장예심청구 상태인 만큼 연내 절차를 마무리해 상장하는 게 목표다.
아이에스티이는 반도체 전공정에 필요한 웨이퍼(반도체 원판) 이동 장비를 제작하고 있다. 반도체 제작과정에서 웨이퍼의 청결 상태 유지가 관건인데 이동 과정에서 용기(FOUP)에 넣어 보관하며, 이때 세정이 진행된다.
이와 함께 회사가 주력하고 있는 분야는 차세대 반도체 박막 증착에 필요한 핵심 장비 ‘PECVD’다. 현재까지 국내에서 사용되고 이는 PECVD는 외국산 제품이 대부분으로 아이에스티이가 개발에 성공할 경우 첫 국산 제품이 될 전망이다. PECVD는 AI 반도체에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 제작에도 필요하다. HBM 제작을 위해서는 반도체 두께를 줄이기 위한 섬세한 하이브리드 본딩 작업이 필요한데 이의 필수 증착 기술인 'SICN'이 PECVD를 통해 진행되기 때문이다.
아이에스티이 관계자는 “회사의 영업이익이 부진한 상황이긴 하지만 IPO를 통한 시설 및 장비 투자에 따른 모멘텀이 있을 것으로 보고 있다”고 말했다.
2017년 설립된 반도체 제조업체 웨이비스는 지난해 11월 상장 예비심사를 청구하고 IPO를 진행 중이다.
웨이비스는 질화갈륨(GaN) 소재의 무선주파수(RF) 반도체 제조에 특화된 기업이다. 해당 반도체는 미사일방어체계, 드론 등에 쓰이는 레이더의 모듈에 탑재된다. GaN 반도체는 무선주파수 신호 증폭 성능이 뛰어나다. 기존에 사용되던 실리콘소재 전력 반도체와 비교해 전력 증폭 성능이 1,000배 이상 높아 고효율, 고출력, 광대역의 특징을 갖고 있다. 5G 통신 서비스에도 활용된다. 5G는 4G보다 주파수 대역이 훨씬 높은 고주파를 사용하는데 웨이비스가 주력하는 GaN은 기존 트랜지스터 소재인 실리콘보다 5G에 적합하다는 평가를 받고 있다.
웨이비스의 상장 도전은 지난 2020년 직상장 추진 이후 스팩 합병 상장 등에 이은 세 번째다. 지난해 8월 프리 IPO(상장 전 투자유치)를 통해 146억원 규모의 투자금을 유치했으며, 당시 인정받은 기업가치는 1,274억원 수준이다.
공모를 통해 모인 자금은 운영 및 시설 자금으로 활용할 예정이라는 게 회사 측의 설명이다. 공장은 화성과 평택 두곳에서 운영 중이다.
이밖에 지난 2월 상장예비심사를 청구한 아이언디바이스도 결과를 기다리고 있다.
업계 한 관계자는 “최근 IPO절차가 까다로워진 데다 추진 기업들이 몰리는 바람에 이전보다 진행이 더뎌진 경향이 있다”라며 “전기차 등 전방 산업의 확장에 따른 성장이 예상됨에 따라 반도체 기업들의 IPO 도전이 늘어날 것으로 보고 있다”고 말했다.
한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 공개한 ‘세계 팹(반도체 공장) 전망 보고서’에 따르면 올해 중국의 웨이퍼 월간 생산량은 전년비 15% 증가한 885만장으로 예상된다. 내년엔 1,010만장으로 14% 증가할 것이라는 설명이다. 대만은 4%의 성장률로 내년 월 580만장을 기록하며 중국에 이은 2위에 오를 전망이다. 한국은 올해 처음으로 월 500만장 생산량을 돌파한 뒤, 내년에는 7% 성장해 540만장으로 3위 자리를 지킬 것으로 예상된다. 공정별로는 AI 붐으로 수요가 늘어나고 있는 5 나노 이하 첨단 공정이 올해 14% 성장하며 두 자릿수 성장이 예상된다. 주요 기업은 인텔∙삼성∙TSMC 등이 꼽히고 있다.