[SR통신IT] SK하이닉스, 극자외선 활용 D램 양산…"최첨단 기술 선도"

- 이전 세대 제품 대비 생산성 25% 향상

[SRT(에스알 타임스) 이두열 기자] SK하이닉스는 첨단 극자외선(EUV) 공정을 적용한 D램 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 이달 초 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8기가비트 LPDDR4 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.

LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다. DDR은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로, DDR1-2-3-4로 세대가 바뀌었다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭한다. 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)를 잇는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다.

SK하이닉스는 이번에 확보한 EUV 공정기술 안정성을 바탕으로써 앞으로 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 예정이다.

SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높였다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다. 이에 따라 회사 측은 올해 전 세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 할 것으로 기대하고 있다.

신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도인 4266Mbps가 안정적으로 구현되면서 기존 제품 대비 전력 소비가 약 20% 줄었다. 저전력 강점이 보강돼 탄소 배출을 줄일 수 있어 환경∙사회∙지배 구조(ESG) 경영에도 부합하는 모델이다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 차세대 D램인 DDR5에는 오는 2022년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

조영만 SK하이닉스 부사장은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용해 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 말했다.